يشترى IXTT64N25P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTT64N25P
- رقم القطعة:
- IXTT64N25P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19233 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTT64N25P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT64N25P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT64N25P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | PolarHT™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 49 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 400W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTT64N25P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3450pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 105nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 250V 64A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 64A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT64N25P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTT68P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 68A TO-268 | تحقيق |
 |
IRFS3507TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFBE20PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB | تحقيق |
|
IXTT69N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 | تحقيق |
 |
NX7002AKAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | تحقيق |
 |
HUFA76439P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB | تحقيق |
|
IXTT60N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT60N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 | تحقيق |
 |
BUK9506-40B,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | تحقيق |
|
FDMS8670 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 24A POWER56 | تحقيق |
 |
FQA7N90_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P | تحقيق |
|
AUIRF3805S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFR24N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
DMN62D1LFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 | تحقيق |
 |
IXFV18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTT6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268 | تحقيق |
 |
SI2323DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 | تحقيق |
|
FCA16N60N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-3PN | تحقيق |
 |
DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 | تحقيق |
 |
IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers