العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTT64N25P
IXTT64N25P
IXTT64N25P
رقم القطعة:
IXTT64N25P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19233 Pieces
ورقة البيانات:
IXTT64N25P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT64N25P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT64N25P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTT64N25P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:PolarHT™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:49 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):400W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXTT64N25P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3450pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:105nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 250V 64A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):250V
وصف:MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:64A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTT64N25P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTT68P20T Image IXTT68P20T IXYS MOSFET P-CH 200V 68A TO-268 تحقيق
IRFS3507TRLPBF Image IRFS3507TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK تحقيق
IRFBE20PBF Image IRFBE20PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB تحقيق
IXTT69N30P Image IXTT69N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 تحقيق
NX7002AKAR Image NX7002AKAR Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V TO-236AB تحقيق
HUFA76439P3 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB تحقيق
IXTT60N10 Image IXTT60N10 IXYS MOSFET N-CH 100V 60A TO-268 تحقيق
IXTT60N20L2 Image IXTT60N20L2 IXYS MOSFET N-CH 200V 60A TO268 تحقيق
BUK9506-40B,127 Image BUK9506-40B,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB تحقيق
FDMS8670 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 24A POWER56 تحقيق
FQA7N90_F109 Image FQA7N90_F109 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P تحقيق
AUIRF3805S Image AUIRF3805S Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK تحقيق
IXFR24N90P Image IXFR24N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 تحقيق
DMN62D1LFD-7 Image DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 تحقيق
IXFV18N90P Image IXFV18N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220 تحقيق
IXTT6N120 Image IXTT6N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268 تحقيق
SI2323DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 تحقيق
FCA16N60N Image FCA16N60N Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V TO-3PN تحقيق
DMN1032UCB4-7 Image DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 تحقيق
IPW65R095C7XKSA1 Image IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 24A TO247 تحقيق

Latest الأخبار