يشترى IXTT88N30P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTT88N30P
- رقم القطعة:
- IXTT88N30P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16850 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTT88N30P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT88N30P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT88N30P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | PolarHT™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 mOhm @ 44A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 600W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTT88N30P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 180nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 300V 88A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 300V |
| وصف: | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 88A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT88N30P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD090N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TO252 | تحقيق |
 |
BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TDSON-8 | تحقيق |
 |
CSD19531Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | تحقيق |
 |
IXTT80N20L | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFH21N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO247 | تحقيق |
 |
JANTXV2N6790 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
 |
IPP80N06S2L11AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IXTT88N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 88A TO-268 | تحقيق |
 |
FQD6N40CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK | تحقيق |
|
IXTT8P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 8A TO-268 | تحقيق |
 |
STF20NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP | تحقيق |
 |
FQP8P10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 8A TO-220 | تحقيق |
 |
AO4588 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC | تحقيق |
 |
VN2460N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3 | تحقيق |
|
AUIRLR2703 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK | تحقيق |
|
IXTT82N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 82A TO-268 | تحقيق |
 |
SQJQ410EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8 | تحقيق |
 |
IRF6601 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET | تحقيق |
 |
STW6N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog