يشترى IXTV18N60PS مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTV18N60PS
- رقم القطعة:
- IXTV18N60PS
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12479 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTV18N60PS.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTV18N60PS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTV18N60PS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS-220SMD |
| سلسلة: | PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 420 mOhm @ 9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | PLUS-220SMD |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTV18N60PS |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 49nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 18A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTV18N60PS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTV18N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 | تحقيق |
 |
EPC2045ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V BUMPED DIE | تحقيق |
 |
FDS5351 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFI630GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP | تحقيق |
|
IXTV120N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 | تحقيق |
 |
SIR888DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
IPP80N04S3H4AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IXTV102N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 | تحقيق |
 |
STF8N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP | تحقيق |
 |
FDPF320N06L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F | تحقيق |
 |
ZVNL110ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 | تحقيق |
 |
IXTV110N25TS | IXYS | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD | تحقيق |
|
IXTV130N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220 | تحقيق |
 |
AON7400B_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN | تحقيق |
 |
NP89N04MUK-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 89A TO-220 | تحقيق |
|
IXTV102N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 | تحقيق |
 |
IRF7832TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog