يشترى IXTV18N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTV18N60P
- رقم القطعة:
- IXTV18N60P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12968 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTV18N60P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTV18N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTV18N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS220 |
| سلسلة: | PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 420 mOhm @ 9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3, Short Tab |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTV18N60P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 49nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTV18N60P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTV102N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 | تحقيق |
 |
IRF644L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 14A TO-262 | تحقيق |
|
IXTV18N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
IXFH110N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 | تحقيق |
 |
IXTQ96N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P | تحقيق |
 |
IXTV110N25TS | IXYS | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD | تحقيق |
|
IXTV130N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220 | تحقيق |
 |
RUM003N02T2L | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 | تحقيق |
 |
ZXMN7A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 | تحقيق |
 |
SI4630DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BSS138NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | تحقيق |
|
IXTV102N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 | تحقيق |
 |
SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323 | تحقيق |
|
IXTV120N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 | تحقيق |
 |
NVMFS6B14NWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL | تحقيق |
 |
NTP18N06 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB | تحقيق |
 |
SSP45N20B_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 35A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog