العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTX600N04T2
IXTX600N04T2
IXTX600N04T2
رقم القطعة:
IXTX600N04T2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17519 Pieces
ورقة البيانات:
IXTX600N04T2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTX600N04T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTX600N04T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTX600N04T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS247™-3
سلسلة:FRFET®, SupreMOS®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.5 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1250W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTX600N04T2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:40000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:590nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 600A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:600A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTX600N04T2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRLZ44ZSTRRPBF Image IRLZ44ZSTRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK تحقيق
IXTQ32N65X Image IXTQ32N65X IXYS MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P تحقيق
SUD50P10-43L-GE3 Image SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 تحقيق
DMT6016LFDF-7 Image DMT6016LFDF-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN تحقيق
APT6M100K Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 تحقيق
IXTX60N50L2 Image IXTX60N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247 تحقيق
SPI47N10L Image SPI47N10L Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK تحقيق
IRFSL4620PBF Image IRFSL4620PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 24A TO262 تحقيق
AOB11C60 Image AOB11C60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH TO-263 تحقيق
IXTX6N200P3HV Image IXTX6N200P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF تحقيق
IXTQ44N50P Image IXTQ44N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P تحقيق
STLD125N4F6AG STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6 تحقيق
IXFT140N10P Image IXFT140N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 تحقيق
NTMFS4937NT1G Image NTMFS4937NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL تحقيق
AON2411 Image AON2411 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN تحقيق
SIJ458DP-T1-GE3 Image SIJ458DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 تحقيق
IXTX90N25L2 Image IXTX90N25L2 IXYS MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247 تحقيق
FQPF47P06 Image FQPF47P06 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F تحقيق
NVTE4151PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89 تحقيق

Latest الأخبار