العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTX6N200P3HV
IXTX6N200P3HV
IXTX6N200P3HV
رقم القطعة:
IXTX6N200P3HV
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16710 Pieces
ورقة البيانات:
IXTX6N200P3HV.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTX6N200P3HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTX6N200P3HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTX6N200P3HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247HV
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4 Ohm @ 3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):960W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3 Variant
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTX6N200P3HV
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:143nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 2000V (2kV) 6A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247HV
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):2000V (2kV)
وصف:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTX6N200P3HV

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
NVD5490NLT4G-VF01 Image NVD5490NLT4G-VF01 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 17A DPAK تحقيق
ZVN0124ASTOB Diodes Incorporated MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 تحقيق
BUK7905-40AIE,127 Image BUK7905-40AIE,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB تحقيق
SI8404DB-T1-E1 Image SI8404DB-T1-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP تحقيق
IRF8721GPBF Image IRF8721GPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC تحقيق
NTD4815NHT4G Image NTD4815NHT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK تحقيق
IRF610 Image IRF610 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB تحقيق
IXTX600N04T2 Image IXTX600N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247 تحقيق
IXTN79N20 Image IXTN79N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227 تحقيق
HUF75639S3S Image HUF75639S3S Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK تحقيق
IXTH12N150 Image IXTH12N150 IXYS MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247 تحقيق
AON7510 Image AON7510 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 75A DFN تحقيق
CSD25213W10 Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA تحقيق
IXTX60N50L2 Image IXTX60N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247 تحقيق
NTMFS4H02NT3G Image NTMFS4H02NT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL تحقيق
IRFR014TR Image IRFR014TR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK تحقيق
IRFR7746PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK تحقيق
SQ1470EH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 تحقيق
ZVN2120A Diodes Incorporated MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 تحقيق
AO7413 Image AO7413 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-3 تحقيق

Latest الأخبار