يشترى IXTY1R6N50P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTY1R6N50P
- رقم القطعة:
- IXTY1R6N50P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18425 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTY1R6N50P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTY1R6N50P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTY1R6N50P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 25µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 43W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTY1R6N50P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 140pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.9nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 1.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTY1R6N50P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | تحقيق |
|
IXTY1R4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | تحقيق |
|
IXTY1R6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | تحقيق |
|
IXTY10P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | تحقيق |
 |
IRFU214PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK | تحقيق |
|
IXTY1R4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY1N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY15N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY12N06T | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY12N06TTRL | IXYS | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY1N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY1N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY1N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY15P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog