IXTY1N120P
رقم القطعة:
IXTY1N120P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12386 Pieces
ورقة البيانات:
IXTY1N120P.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTY1N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTY1N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTY1N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252, (D-Pak)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:-
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTY1N120P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 1A (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات