يشترى IXYJ20N120C3D1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXYJ20N120C3D1
- رقم القطعة:
- IXYJ20N120C3D1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 1200V 21A 105W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12333 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXYJ20N120C3D1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXYJ20N120C3D1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXYJ20N120C3D1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.4V @ 15V, 20A |
| اختبار حالة: | 600V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 20ns/90ns |
| تحويل الطاقة: | 1.3mJ (on), 500µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISO247™ |
| سلسلة: | GenX3™, XPT™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 195ns |
| السلطة - ماكس: | 105W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXYJ20N120C3D1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 53nC |
| وصف موسع: | IGBT 1200V 21A 105W Through Hole ISO247™ |
| وصف: | IGBT 1200V 21A 105W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 84A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 21A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXYJ20N120C3D1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXSX80N60B | IXYS | IGBT 600V 160A 500W PLUS247 | تحقيق |
 |
IXGH85N30C3 | IXYS | IGBT 300V 75A 333W TO247AD | تحقيق |
 |
IRG4BC10UPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB | تحقيق |
 |
FGA25N120ANTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 310W TO3P | تحقيق |
 |
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 30A 130W TO220-3 | تحقيق |
 |
IXBT42N300HV | IXYS | IGBT 3000V 42A 357W TO268 | تحقيق |
|
IXGH39N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 76A 200W TO247AD | تحقيق |
 |
IRG4PC40UDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 160W TO247AC | تحقيق |
|
IXXH60N65C4 | IXYS | IGBT 650V 118A 455W TO247AD | تحقيق |
 |
IRG4RC10SDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W DPAK | تحقيق |
 |
ISL9V2540S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK | تحقيق |
 |
IRGP4069D-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 76A 268W TO247AD | تحقيق |
|
ISL9V3036S3S | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 360V 21A 150W TO263AB | تحقيق |
 |
APT25GN120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog