يشترى IXZ308N120 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXZ308N120
- رقم القطعة:
- IXZ308N120
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RF MOSFET N-CHANNEL DE375
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13702 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXZ308N120.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXZ308N120 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXZ308N120 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 1200V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سلسلة: | Z-MOS™ |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXZ308N120 |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel |
| وصف: | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 |
| التصويت الحالي: | 1mA |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXZ308N120
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF1535NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP | تحقيق |
 |
MRF1513NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-40P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
 |
MRF8S26060HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.69GHZ | تحقيق |
|
A2T09VD300NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
VRF152MP | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174 | تحقيق |
|
MRF21010LSR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S | تحقيق |
 |
BLF7G20L-90P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A | تحقيق |
|
A2T18H160-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLF6G20-230PRN,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | تحقيق |
 |
375-102N12A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | تحقيق |
|
BLC8G27LS-245AVJ | NXP USA Inc. | TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1251 | تحقيق |
 |
BLF6G27L-50BN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A | تحقيق |
 |
PTFA211801F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog