يشترى IXZ316N60 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXZ316N60
- رقم القطعة:
- IXZ316N60
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RF MOSFET N-CHANNEL DE375
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19294 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXZ316N60.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXZ316N60 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXZ316N60 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 600V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سلسلة: | Z-MOS™ |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXZ316N60 |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel |
| وصف: | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 |
| التصويت الحالي: | 1mA |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXZ316N60
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CGHV35400F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 3.5GHZ 440210 | تحقيق |
 |
PTFA080551EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 | تحقيق |
 |
BLF178P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
MRF5S4140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
MRFE6S9205HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | تحقيق |
 |
BLS6G2731P-200,117 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 32V SOM038 | تحقيق |
 |
CGHV60170D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V DIE | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270V,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF6G20S-230PRN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT539B | تحقيق |
 |
IXZ318N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL | تحقيق |
|
MMRF1011HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.4GHZ | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog