يشترى IXZH10N50L2A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXZH10N50L2A
- رقم القطعة:
- IXZH10N50L2A
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19900 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXZH10N50L2A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXZH10N50L2A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXZH10N50L2A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 500V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXFH) |
| سلسلة: | Z-MOS™ |
| مخرج قوي: | 200W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXZH10N50L2A |
| ربح: | - |
| تردد: | 2MHz ~ 110MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel 2MHz ~ 110MHz 200W TO-247 (IXFH) |
| وصف: | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 |
| التصويت الحالي: | 1mA |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXZH10N50L2A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLU6H0410LS-600P,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-40PGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E | تحقيق |
 |
IXZR18N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
IXZH10N50L2B | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLC8G20LS-400AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583 | تحقيق |
 |
PTFA260851E V1 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 | تحقيق |
 |
UF2820P | M/A-Com Technology Solutions | MOSFET 20W 28V 100-500MHZ | تحقيق |
 |
BLF645,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | تحقيق |
 |
BF 5030 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143 | تحقيق |
 |
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
ON5250/A,135 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT223 SC-73 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog