يشترى BLU6H0410LS-600P,1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLU6H0410LS-600P,1
- رقم القطعة:
- BLU6H0410LS-600P,1
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14073 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLU6H0410LS-600P,1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLU6H0410LS-600P,1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLU6H0410LS-600P,1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT539B |
| اسماء اخرى: | 934066968112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLU6H0410LS-600P,1 |
| ربح: | 21dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 1.3A 860MHz 21dB 250W SOT539B |
| وصف: | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLU6H0410LS-600P,1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
CGHV60040D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V DIE | تحقيق |
 |
AFV121KHR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLU6H0410L-600P,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A | تحقيق |
 |
2N3819 | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 100MA TO92 | تحقيق |
 |
BLF6G20S-45,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B | تحقيق |
 |
MAGX-000035-030000 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 30WCW 0.03-3.5GHZ | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-40PGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E | تحقيق |
 |
BG3130H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLC8G22LS-450AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583 | تحقيق |
 |
BF998WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R | تحقيق |
 |
BLF645,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | تحقيق |
 |
ON5258,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog