يشترى IXZR08N120B-00 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXZR08N120B-00
- رقم القطعة:
- IXZR08N120B-00
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14096 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXZR08N120B-00.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXZR08N120B-00 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXZR08N120B-00 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 1200V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | Z-MOS™ |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXZR08N120B-00 |
| ربح: | - |
| تردد: | 100MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel 100MHz 250W PLUS247™-3 |
| وصف: | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 |
| التصويت الحالي: | 1mA |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXZR08N120B-00
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S23140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S | تحقيق |
 |
BLF6G13LS-250PGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E | تحقيق |
 |
IXZR08N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
BLC9G20XS-550AVT | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.4DB SOT12587 | تحقيق |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
MRF6S9060MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 | تحقيق |
 |
PTFA091503ELV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6 | تحقيق |
|
PTFB211503FLV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | تحقيق |
 |
CGHV40100P | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 4GHZ 440206 | تحقيق |
 |
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | تحقيق |
 |
MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog