J210_D27Z - Fairchild/ON Semiconductor - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف J210_D27Z

J210_D27Z

رقم القطعة:: J210_D27Z

الصانع:: Fairchild/ON Semiconductor

وصف:: JFET N-CH 25V 15MA TO92

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15415 Pieces

ورقة البيانات:: J210_D27Z.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل J210_D27Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك J210_D27Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى J210_D27Z مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	-
الجهد - تقييمه:	25V
نوع الترانزستور:	N-Channel JFET
تجار الأجهزة حزمة:	TO-92-3
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	J210_D27Z
ربح:	-
تردد:	-
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel JFET TO-92-3
وصف:	JFET N-CH 25V 15MA TO92
التصويت الحالي:	15mA
الحالي - اختبار:	-
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لJ210_D27Z

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
BLA6H0912L-1000U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A	تحقيق
BLF4G20-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A	تحقيق
MRF6VP21KHR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230	تحقيق
PTFA211801EV5T350XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36260-2	تحقيق
PTVA120501EAV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-36265-2	تحقيق
MRF6S9130HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ NI-780S	تحقيق
PXFC192207SHV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
BLF6G21-10G,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A	تحقيق
J210	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 15MA TO92	تحقيق
MRF7S24250NR3	NXP USA Inc.	TRANS RF LDMOS 250W 32V	تحقيق
AFV121KGSR5	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
MRF7S19170HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار