J300_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف J300_D26Z

J300_D26Z

رقم القطعة:: J300_D26Z

الصانع:: Fairchild/ON Semiconductor

وصف:: JFET N-CH 25V TO92

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 12898 Pieces

ورقة البيانات:: J300_D26Z.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل J300_D26Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك J300_D26Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى J300_D26Z مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	-
الجهد - تقييمه:	25V
نوع الترانزستور:	N-Channel JFET
تجار الأجهزة حزمة:	TO-92-3
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	J300_D26Z
ربح:	-
تردد:	-
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel JFET TO-92-3
وصف:	JFET N-CH 25V TO92
التصويت الحالي:	-
الحالي - اختبار:	-
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لJ300_D26Z

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MRF6S9160HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ NI-780S	تحقيق
MRF7S19210HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI780S	تحقيق
LET9045C	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 80V 9A M-250	تحقيق
BLF8G27LS-140V,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B	تحقيق
MMRF1304GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 133V 512MHZ TO270-2	تحقيق
AFT20P140-4WGNR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW	تحقيق
PTFA080551E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2	تحقيق
BLF6G27S-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B	تحقيق
J300	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V TO92	تحقيق
MRF7S19080HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S	تحقيق
BLD6G22LS-50,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار