يشترى MBRA210ET3G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MBRA210ET3G
- رقم القطعة:
- MBRA210ET3G
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14433 Pieces
- ورقة البيانات:
- MBRA210ET3G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MBRA210ET3G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MBRA210ET3G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 500mV @ 2A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 10V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMA |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-214AC, SMA |
| اسماء اخرى: | MBRA210ET3GOS MBRA210ET3GOS-ND MBRA210ET3GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MBRA210ET3G |
| وصف موسع: | Diode Schottky 10V 2A Surface Mount SMA |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 50µA @ 10V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMBRA210ET3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC14D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | تحقيق |
 |
MBRA210LT3 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA | تحقيق |
 |
GP02-35HM3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 3.5KV 250MA DO204 | تحقيق |
|
MBRA210LT3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA | تحقيق |
|
MBRA2H100T3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA | تحقيق |
 |
CSFB203-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | تحقيق |
 |
NUR460P/L06U | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD | تحقيق |
|
MBRA210ET3 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA | تحقيق |
 |
PMEG3010EP,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD128 | تحقيق |
 |
MA271110GL | Panasonic Electronic Components | DIODE GEN 80V 100MA SSSMINI2 | تحقيق |
 |
STTH60L04W | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400V 60A DO247 | تحقيق |
 |
MBRB1060-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB | تحقيق |
 |
ZHCS506TA | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 60V 500MA SOT23-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog