يشترى MBRA210LT3G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MBRA210LT3G
- رقم القطعة:
- MBRA210LT3G
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19313 Pieces
- ورقة البيانات:
- MBRA210LT3G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MBRA210LT3G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MBRA210LT3G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 350mV @ 2A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 10V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMA |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-214AC, SMA |
| اسماء اخرى: | MBRA210LT3GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MBRA210LT3G |
| وصف موسع: | Diode Schottky 10V 2A Surface Mount SMA |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 700µA @ 10V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMBRA210LT3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RA201836XX | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1.8KV 3600A PWRDISC | تحقيق |
 |
MBRA210ET3 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA | تحقيق |
 |
SE15PDHM3/84A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO220AA | تحقيق |
|
MBRA210ET3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA | تحقيق |
|
MBRA210LT3 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA | تحقيق |
 |
JAN1N5550US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | تحقيق |
 |
1N5822-B | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
MSE1PG-M3/89A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP | تحقيق |
 |
USB260-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 2A 600V 30NS DO-214AA | تحقيق |
|
MBRA2H100T3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA | تحقيق |
 |
RD0504T-H | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 5A TP | تحقيق |
|
JANTX1N6622U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | تحقيق |
 |
GF1B/17A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog