يشترى MMBF2201NT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MMBF2201NT1G
- رقم القطعة:
- MMBF2201NT1G
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15329 Pieces
- ورقة البيانات:
- MMBF2201NT1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MMBF2201NT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MMBF2201NT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-70-3 (SOT323) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1 Ohm @ 300mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | MMBF2201NT1GOS MMBF2201NT1GOS-ND MMBF2201NT1GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MMBF2201NT1G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 45pF @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMMBF2201NT1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MMBF2202PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT323 | تحقيق |
|
MMBF2202PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323 | تحقيق |
 |
AUIRL1404ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | تحقيق |
 |
SI7374DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
MMBF2201NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 | تحقيق |
 |
NDT3055L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 | تحقيق |
 |
2SK2967(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN | تحقيق |
 |
NTB5605PT4 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | تحقيق |
 |
SIA811DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
 |
APT5518BFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 | تحقيق |
|
IRFZ34NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK | تحقيق |
 |
SIS468DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog