يشترى MMBF2202PT1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MMBF2202PT1
- رقم القطعة:
- MMBF2202PT1
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12129 Pieces
- ورقة البيانات:
- MMBF2202PT1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MMBF2202PT1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MMBF2202PT1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-70-3 (SOT323) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.2 Ohm @ 200mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | MMBF2202PT1OSCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MMBF2202PT1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 50pF @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.7nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMMBF2202PT1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MMBF2202PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT323 | تحقيق |
 |
IPB80P04P405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | تحقيق |
|
MMBF2201NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 | تحقيق |
 |
IXTQ200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P | تحقيق |
 |
ZVN2120ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
|
MMBF2201NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 | تحقيق |
 |
IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | تحقيق |
 |
FDS7064N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
 |
TPN11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON | تحقيق |
 |
IRFS654B_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 21A TO-220F | تحقيق |
 |
SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
STH80N10F7-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 | تحقيق |
 |
STF8NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog