يشترى MMSF3P02HDR2SG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MMSF3P02HDR2SG
- رقم القطعة:
- MMSF3P02HDR2SG
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16262 Pieces
- ورقة البيانات:
- MMSF3P02HDR2SG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MMSF3P02HDR2SG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MMSF3P02HDR2SG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 75 mOhm @ 3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MMSF3P02HDR2SG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1400pF @ 16V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 46nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 5.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMMSF3P02HDR2SG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN180N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B | تحقيق |
 |
MMSF3P02HDR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FQU3N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK | تحقيق |
 |
HN4K03JUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A USV | تحقيق |
 |
IRL3803STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK | تحقيق |
|
MMSF3P02HDR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SIHD12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 500V DPAK | تحقيق |
 |
SQS482EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 | تحقيق |
 |
IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
FDS6679Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC | تحقيق |
 |
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 | تحقيق |
|
SQD25N06-22L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 25A TO252 | تحقيق |
 |
NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | تحقيق |
 |
ZVN0124ZSTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog