يشترى MRF281SR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF281SR1
- رقم القطعة:
- MRF281SR1
- وصف:
- FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17724 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF281SR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF281SR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF281SR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 26V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-200S |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-200S |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | MRF281SR1 |
| ربح: | 12.5dB |
| تردد: | 1.93GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 26V 25mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200S |
| وصف: | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF281SR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTF210451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 | تحقيق |
 |
ATF-34143-BLKG | Broadcom Limited | FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
 |
MMRF1013HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.9GHZ | تحقيق |
 |
BF1107,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23 | تحقيق |
 |
PTFA091201HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | تحقيق |
 |
MRF6S21100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4 | تحقيق |
 |
MRF282ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2GHZ NI-200Z | تحقيق |
|
MRF282SR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2GHZ NI-200S | تحقيق |
|
MRF8S9100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 920MHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | تحقيق |
 |
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | تحقيق |
 |
BLF574,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A | تحقيق |
|
MMRF1306HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S | تحقيق |
 |
STAC2932F | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH STAC244F | تحقيق |
 |
CGHV59070F | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V 440224 | تحقيق |
 |
AFT20S015NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog