العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > MRFE6VP100HR5
MRFE6VP100HR5
MRFE6VP100HR5
رقم القطعة:
MRFE6VP100HR5
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15686 Pieces
ورقة البيانات:
MRFE6VP100HR5.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRFE6VP100HR5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRFE6VP100HR5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MRFE6VP100HR5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:133V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:NI-780-4
سلسلة:-
مخرج قوي:100W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:NI-780-4
اسماء اخرى:935319905178
MRFE6VP100HR5-ND
MRFE6VP100HR5TR
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:MRFE6VP100HR5
ربح:26dB
تردد:512MHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 512MHz 26dB 100W NI-780-4
وصف:FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMRFE6VP100HR5

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRFE6VP6300HR3 Image MRFE6VP6300HR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 تحقيق
MRFE6VP61K25HR5 Image MRFE6VP61K25HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 تحقيق
MRFE6VP6300HSR3 Image MRFE6VP6300HSR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 تحقيق
MRFE6VP100HSR5 Image MRFE6VP100HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 تحقيق
MRFE6VP6300HSR5 Image MRFE6VP6300HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 تحقيق
MRFE6S9201HSR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-780S تحقيق
MRFE6VP6600GNR3 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 600W 50V تحقيق
MRFE6S9046GNR1 Image MRFE6S9046GNR1 NXP USA Inc. FET RF 66V 960MHZ TO-270-4 تحقيق
MRFE6VS25GNR1 Image MRFE6VS25GNR1 NXP USA Inc. FET RF 133V 512MHZ TO-270-2 تحقيق
MRFE6S9201HR3 Image MRFE6S9201HR3 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-780 تحقيق
MRFE6S9045GNR1 Image MRFE6S9045GNR1 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 تحقيق
MRFE6S9135HR5 Image MRFE6S9135HR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 940MHZ NI-880 تحقيق
MRFE6VP61K25GNR6 Image MRFE6VP61K25GNR6 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 1250W 50V تحقيق
MRFE6S9200HR5 Image MRFE6S9200HR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-880 تحقيق
MRFE6VP5600HSR6 Image MRFE6VP5600HSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S تحقيق
MRFE6VP61K25HR6 Image MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 تحقيق
MRFE6VP6600NR3 Image MRFE6VP6600NR3 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 600W 50V تحقيق
MRFE6S9130HR5 Image MRFE6S9130HR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-780 تحقيق

Latest الأخبار