يشترى MSRT25080(A) مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MSRT25080(A)
- رقم القطعة:
- MSRT25080(A)
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18486 Pieces
- ورقة البيانات:
- MSRT25080(A).pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MSRT25080(A) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MSRT25080(A) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 250A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 800V |
| تجار الأجهزة حزمة: | Three Tower |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Three Tower |
| اسماء اخرى: | MSRT25080(A)GN MSRT25080A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MSRT25080(A) |
| وصف موسع: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 800V 250A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف: | DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 15µA @ 600V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 250A (DC) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMSRT25080(A)
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | تحقيق |
|
MSRT250100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT25060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT250120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | تحقيق |
|
MSRT250160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT250140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog