يشترى MW6S004NT1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MW6S004NT1
- رقم القطعة:
- MW6S004NT1
- وصف:
- FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17035 Pieces
- ورقة البيانات:
- MW6S004NT1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MW6S004NT1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MW6S004NT1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 68V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLD-1.5 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PLD-1.5 |
| اسماء اخرى: | 935320257515 MW6S004NT1-ND MW6S004NT1TR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MW6S004NT1 |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 1.96GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 50mA 1.96GHz 18dB 4W PLD-1.5 |
| وصف: | FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMW6S004NT1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G20LS-140GVQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | تحقيق |
 |
MAGX-000912-250L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 250W 960-1215MHZ | تحقيق |
 |
MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
MW6S010MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
MRF7S19100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4 | تحقيق |
 |
BLF2045,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 10DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLC2425M8LS300PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 | تحقيق |
|
MW6S010GMR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | تحقيق |
 |
BLF6G15L-500H,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A | تحقيق |
 |
PTRA093302FCV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4 | تحقيق |
 |
MW6S010GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | تحقيق |
|
PTFC261402FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | تحقيق |
 |
MRF8P20165WHR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | تحقيق |
 |
BF994S,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B | تحقيق |
 |
MRF6VP11KHR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
MW6S010NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
ARF1511 | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 500V 20A DIE | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog