يشترى MW6S010NR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MW6S010NR1
- رقم القطعة:
- MW6S010NR1
- وصف:
- FET RF 68V 960MHZ TO270-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19058 Pieces
- ورقة البيانات:
- MW6S010NR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MW6S010NR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MW6S010NR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 68V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-270AA |
| اسماء اخرى: | MW6S010NR1DKR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MW6S010NR1 |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 960MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 |
| وصف: | FET RF 68V 960MHZ TO270-2 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 125mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMW6S010NR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1105WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R | تحقيق |
 |
MW6S010GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | تحقيق |
 |
MW6S010MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
J310 | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA TO92 | تحقيق |
|
MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | تحقيق |
|
MW6S010GMR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | تحقيق |
 |
BLF6G27-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | تحقيق |
 |
BF244C | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 50MA TO92 | تحقيق |
 |
PTFA180701EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2 | تحقيق |
|
MRF8S18210WGHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS | تحقيق |
|
AFT09MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ TO270-2G | تحقيق |
 |
CGH55030F1 | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 5.8GHZ 440166 | تحقيق |
 |
275-501N16A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
 |
MW6S004NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog