يشترى NDDP010N25AZT4H مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NDDP010N25AZT4H
- رقم القطعة:
- NDDP010N25AZT4H
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17323 Pieces
- ورقة البيانات:
- NDDP010N25AZT4H.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NDDP010N25AZT4H ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NDDP010N25AZT4H عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK/TP-FA |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 420 mOhm @ 5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta), 52W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | NDDP010N25AZT4H-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NDDP010N25AZT4H |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 980pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 250V 10A (Ta) 1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK/TP-FA |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNDDP010N25AZT4H
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
NDDP010N25AZ-1H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP | تحقيق |
 |
BSH111,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 | تحقيق |
 |
FMD47-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5 | تحقيق |
 |
IXTH80N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 | تحقيق |
 |
IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFH14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 | تحقيق |
 |
IRLR7807ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 43A DPAK | تحقيق |
 |
SI5435BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 | تحقيق |
 |
APT17N80SC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK | تحقيق |
 |
FDP75N08A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220 | تحقيق |
 |
IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN | تحقيق |
 |
STP50NE08 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 50A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTA8PN50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK | تحقيق |
 |
BSP170PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
 |
STU16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A IPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog