NE34018-T1-A - CEL - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف NE34018-T1-A

NE34018-T1-A

رقم القطعة:: NE34018-T1-A

الصانع:: CEL (California Eastern Laboratories)

وصف:: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 12192 Pieces

ورقة البيانات:: NE34018-T1-A.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE34018-T1-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE34018-T1-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NE34018-T1-A مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	2V
الجهد - تقييمه:	4V
نوع الترانزستور:	HFET
تجار الأجهزة حزمة:	SOT-343
سلسلة:	-
مخرج قوي:	12dBm
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SC-82A, SOT-343
اسماء اخرى:	NE34018-ATR
الضوضاء الشكل:	0.6dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	NE34018-T1-A
ربح:	16dB
تردد:	2GHz
وصف موسع:	RF Mosfet HFET 2V 5mA 2GHz 16dB 12dBm SOT-343
وصف:	FET RF 4V 2GHZ SOT-343
التصويت الحالي:	120mA
الحالي - اختبار:	5mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNE34018-T1-A

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
NE34018-64-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ SOT-343	تحقيق
NE34018-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ SOT-343	تحقيق
BLA6G1011L-200RG,1	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D	تحقيق
MRF6S9045MR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ TO-270-2	تحقيق
GTVA220701FAV1R2XTMA1	Infineon Technologies	GAN SIC	تحقيق
BLF246,112	Ampleon USA Inc.	RF FET NCHA 65V 18DB SOT121B	تحقيق
MRF8S19140HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.96GHZ NI780H	تحقيق
NE34018-T1-64-A	CEL	FET RF 4V 2GHZ SOT-343	تحقيق
NE34018-T1	CEL	FET RF 4V 2GHZ SOT-343	تحقيق
BG5120KE6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363	تحقيق
BF1202WR,135	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP	تحقيق
LET9180	STMicroelectronics	IC RF TRANSISTOR LDMOS M246	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار