NE3512S02-A - CEL - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف NE3512S02-A

NE3512S02-A

رقم القطعة:: NE3512S02-A

الصانع:: CEL (California Eastern Laboratories)

وصف:: HJ-FET NCH 13.5DB S02

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14348 Pieces

ورقة البيانات:: 1.NE3512S02-A.pdf 2.NE3512S02-A.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3512S02-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3512S02-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NE3512S02-A مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	2V
الجهد - تقييمه:	4V
نوع الترانزستور:	HFET
تجار الأجهزة حزمة:	S02
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	4-SMD, Flat Leads
اسماء اخرى:	NE3512S02A
الضوضاء الشكل:	0.35dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	NE3512S02-A
ربح:	13.5dB
تردد:	12GHz
وصف موسع:	RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
وصف:	HJ-FET NCH 13.5DB S02
التصويت الحالي:	70mA
الحالي - اختبار:	10mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNE3512S02-A

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
NE3516S02-T1C-A	CEL	IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX	تحقيق
NE3517S03-T1C-A	CEL	FET RF 4V 20GHZ S03	تحقيق
NE3513M04-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD	تحقيق
NE3515S02-A	CEL	FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02	تحقيق
NE3511S02-T1C-A	CEL	IC AMP RF LNA 13.5DB S02	تحقيق
NE3512S02-T1C-A	CEL	HJ-FET NCH 13.5DB S02	تحقيق
NE3515S02-T1C-A	CEL	FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02	تحقيق
NE3516S02-A	CEL	IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX	تحقيق
MRF7S19080HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S	تحقيق
NE3510M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 4GHZ M04	تحقيق
NE3514S02-A	CEL	HJ-FET NCH 10DB S02	تحقيق
NE3511S02-A	CEL	HJ-FET NCH 13.5DB S02	تحقيق
NE3513M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD	تحقيق
NE3513M04-T2B-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD	تحقيق
NE3514S02-T1C-A	CEL	HJ-FET NCH 10DB S02	تحقيق
NE3515S02-T1D-A	CEL	FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02	تحقيق
NE3510M04-A	CEL	FET RF 4V 4GHZ M04	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار