العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A
رقم القطعة:
NE3510M04-T2-A
الصانع:
CEL (California Eastern Laboratories)
وصف:
FET RF 4V 4GHZ M04
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16220 Pieces
ورقة البيانات:
1.NE3510M04-T2-A.pdf2.NE3510M04-T2-A.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3510M04-T2-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3510M04-T2-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NE3510M04-T2-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:2V
الجهد - تقييمه:4V
نوع الترانزستور:HFET
تجار الأجهزة حزمة:M04
سلسلة:-
مخرج قوي:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-343F
اسماء اخرى:NE3510M04-T2-A-ND
NE3510M04-T2-ATR
NE3510M04T2A
الضوضاء الشكل:0.45dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NE3510M04-T2-A
ربح:16dB
تردد:4GHz
وصف موسع:RF Mosfet HFET 2V 15mA 4GHz 16dB M04
وصف:FET RF 4V 4GHZ M04
التصويت الحالي:97mA
الحالي - اختبار:15mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لNE3510M04-T2-A

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 تحقيق
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 تحقيق
NE3516S02-A Image NE3516S02-A CEL IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX تحقيق
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 تحقيق
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL FET RF 4V 4GHZ M04 تحقيق
NE3516S02-T1C-A Image NE3516S02-T1C-A CEL IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX تحقيق
NE3515S02-T1C-A Image NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 تحقيق
NE3515S02-A Image NE3515S02-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 تحقيق
NE3517S03-T1C-A CEL FET RF 4V 20GHZ S03 تحقيق
NE3513M04-T2B-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD تحقيق
NE3515S02-T1D-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 تحقيق
NE3513M04-A Image NE3513M04-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD تحقيق
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL IC AMP RF LNA 13.5DB S02 تحقيق
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02 تحقيق
NE3514S02-A Image NE3514S02-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02 تحقيق
NE3513M04-T2-A Image NE3513M04-T2-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD تحقيق
GTVA220701FAV1R2XTMA1 Infineon Technologies GAN SIC تحقيق

Latest الأخبار