يشترى NE3520S03-T1C-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NE3520S03-T1C-A
- رقم القطعة:
- NE3520S03-T1C-A
- وصف:
- FET RF 4V 20GHZ S03
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13779 Pieces
- ورقة البيانات:
- NE3520S03-T1C-A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3520S03-T1C-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3520S03-T1C-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 2V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| نوع الترانزستور: | HFET |
| تجار الأجهزة حزمة: | S03 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-SMD, Flat Leads |
| الضوضاء الشكل: | 0.65dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NE3520S03-T1C-A |
| ربح: | 13.5dB |
| تردد: | 20GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 13.5dB S03 |
| وصف: | FET RF 4V 20GHZ S03 |
| التصويت الحالي: | 70mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE3520S03-T1C-A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S9125MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 | تحقيق |
 |
BLF6G10LS-200R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502B | تحقيق |
 |
ATF-55143-TR1 | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270GV,12 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C | تحقيق |
 |
MRF1K50NR5 | NXP USA Inc. | WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST | تحقيق |
 |
NE3520S03-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | تحقيق |
 |
AFT05MS003NT1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF7S21210HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
BG 5130R E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | تحقيق |
 |
PTFC260202FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | تحقيق |
 |
NE3521M04-T2-A | CEL | IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI | تحقيق |
 |
BF1201,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B | تحقيق |
|
BLF6G20LS-180RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | تحقيق |
 |
MRF5S19130HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
BLF2425M9LS30U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B | تحقيق |
|
NE3521M04-A | CEL | IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI | تحقيق |
 |
PD57030-E | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog