يشترى NE3520S03-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NE3520S03-A
- رقم القطعة:
- NE3520S03-A
- وصف:
- FET RF 4V 20GHZ S03
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14207 Pieces
- ورقة البيانات:
- NE3520S03-A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3520S03-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3520S03-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 2V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| نوع الترانزستور: | HFET |
| تجار الأجهزة حزمة: | S03 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-SMD, Flat Leads |
| اسماء اخرى: | NE3520S03A |
| الضوضاء الشكل: | 0.65dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NE3520S03-A |
| ربح: | 13.5dB |
| تردد: | 20GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 13.5dB S03 |
| وصف: | FET RF 4V 20GHZ S03 |
| التصويت الحالي: | 70mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE3520S03-A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3521M04-A | CEL | IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI | تحقيق |
 |
PD85025C | STMicroelectronics | FET RF 40V 945MHZ M243 | تحقيق |
 |
NE3520S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | تحقيق |
 |
MRF5S19100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
BF1217WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL SOT343R | تحقيق |
 |
MRF160 | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 249-06 | تحقيق |
 |
2SK3079ATE12LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 10V PW-X | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-220U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | تحقيق |
 |
MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | تحقيق |
 |
VRF141G | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 80V 40A DIE | تحقيق |
 |
MAGX-000912-500L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN 500W 960-1215MHZ | تحقيق |
 |
BG3130RH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | تحقيق |
 |
BLF6G15L-250PBRN,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A | تحقيق |
 |
CGHV35060MP | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP | تحقيق |
|
NE3521M04-T2-A | CEL | IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog