يشترى NIF9N05CLT3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NIF9N05CLT3
- رقم القطعة:
- NIF9N05CLT3
- وصف:
- MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13311 Pieces
- ورقة البيانات:
- NIF9N05CLT3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NIF9N05CLT3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NIF9N05CLT3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 100µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 125 mOhm @ 2.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.69W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | NIF9N05CLT3OS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | NIF9N05CLT3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 250pF @ 35V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 52V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 52V |
| وصف: | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNIF9N05CLT3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | تحقيق |
 |
IRFP3710PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC | تحقيق |
 |
PMN27UP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP | تحقيق |
|
NIF9N05CLT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | تحقيق |
 |
1HP04CH-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23 | تحقيق |
|
AUIRFP064N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC | تحقيق |
 |
PH5525L,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK | تحقيق |
 |
NX138BKWX | Nexperia USA Inc. | NX138BKW/SC-70/REEL 7" Q1/T1 * | تحقيق |
 |
IXTQ130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P | تحقيق |
 |
IRL520NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
STD18N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A DPAK | تحقيق |
|
NIF9N05CLT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | تحقيق |
 |
SUP40N10-30-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB | تحقيق |
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog