يشترى NTD3813NT4G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTD3813NT4G
- رقم القطعة:
- NTD3813NT4G
- وصف:
- MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16954 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTD3813NT4G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD3813NT4G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD3813NT4G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8.75 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTD3813NT4G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 963pF @ 12V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 12.8nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 16V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Surface Mount DPAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 16V |
| وصف: | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9.6A (Ta), 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTD3813NT4G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD3813N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK | تحقيق |
 |
NTD3808N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | تحقيق |
|
NTD3817N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK | تحقيق |
|
NTD3813N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK | تحقيق |
 |
NTD3808NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK | تحقيق |
 |
SI7485DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
NTD3817NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK | تحقيق |
|
SI7852DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
AOW10T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V TO-262 | تحقيق |
|
NTD3808N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | تحقيق |
 |
BSH111,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 | تحقيق |
|
NTD3817N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK | تحقيق |
 |
ZVN2110ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog