يشترى NTD3817N-35G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTD3817N-35G
- رقم القطعة:
- NTD3817N-35G
- وصف:
- MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16593 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTD3817N-35G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD3817N-35G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD3817N-35G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 13.9 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTD3817N-35G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 702pF @ 12V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10.5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 16V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole I-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 16V |
| وصف: | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTD3817N-35G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 | تحقيق |
 |
AUIRFR3504TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 87A DPAK | تحقيق |
 |
NTD3813N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK | تحقيق |
 |
NTD3817NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK | تحقيق |
 |
NTD3817N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK | تحقيق |
|
NTD3813N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK | تحقيق |
|
NTD3813NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK | تحقيق |
 |
ZXM66N02N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTD3808N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | تحقيق |
|
NTD3808NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK | تحقيق |
|
NTD3808N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog