يشترى NTGD3147FT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTGD3147FT1G
- رقم القطعة:
- NTGD3147FT1G
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18367 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTGD3147FT1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTGD3147FT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTGD3147FT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTGD3147FT1G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 400pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5.5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | Schottky Diode (Isolated) |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTGD3147FT1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTGD3133PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP | تحقيق |
 |
MKE11R600DCGFC | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC | تحقيق |
 |
ZVP4525E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6 | تحقيق |
|
NTGD3149CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | تحقيق |
 |
SI4666DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
TPS1101DR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
2N7638-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 8A TO276 | تحقيق |
|
NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP | تحقيق |
 |
IRLU3636PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A IPAK | تحقيق |
 |
IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 | تحقيق |
|
NVTFS5C658NLTAG | ON Semiconductor | T6 60V LL U8FL | تحقيق |
 |
IRFR110TRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | تحقيق |
 |
IRFU3704PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK | تحقيق |
 |
DMNH6012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 60A TO252 | تحقيق |
 |
IRLR8259PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 57A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog