يشترى ZVP4525E6TA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZVP4525E6TA
- رقم القطعة:
- ZVP4525E6TA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15048 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZVP4525E6TA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZVP4525E6TA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZVP4525E6TA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±40V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | ZVP4525E6TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZVP4525E6TA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 73pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.45nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 250V 197mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 3.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 197mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZVP4525E6TA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVP4525GTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223 | تحقيق |
|
ZVP4525GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223 | تحقيق |
 |
RFG40N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A TO-247 | تحقيق |
 |
ZVP4525E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT23-6 | تحقيق |
 |
ZVP4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 | تحقيق |
 |
FDZ371PZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP | تحقيق |
 |
PHB66NQ03LT,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK | تحقيق |
 |
AOD8N25 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 250V 8A TO252 | تحقيق |
 |
IXFR80N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 | تحقيق |
 |
TPN1600ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog