العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > NTJS4151PT1G
NTJS4151PT1G
NTJS4151PT1G
رقم القطعة:
NTJS4151PT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15657 Pieces
ورقة البيانات:
NTJS4151PT1G.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTJS4151PT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTJS4151PT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTJS4151PT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.2V @ 250µA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SC-88/SC70-6/SOT-363
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):1W (Ta)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:NTJS4151PT1GOSDKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:28 Weeks
الصانع الجزء رقم:NTJS4151PT1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:850pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:10nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.3A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لNTJS4151PT1G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRFR010PBF Image IRFR010PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK تحقيق
AOB2606L Image AOB2606L Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 72A TO263 تحقيق
PHP83N03LT,127 Image PHP83N03LT,127 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB تحقيق
STD5N52U Image STD5N52U STMicroelectronics MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK تحقيق
NTJS4405NT4G Image NTJS4405NT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 تحقيق
IRFR9020TRLPBF Image IRFR9020TRLPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK تحقيق
NTJS4151PT1 Image NTJS4151PT1 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 تحقيق
NTJS4160NT1G Image NTJS4160NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 تحقيق
NTJS4405NT1 Image NTJS4405NT1 ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 تحقيق
NTJS4405NT1G Image NTJS4405NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 تحقيق
NTJS4405NT4 Image NTJS4405NT4 ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 تحقيق
SSM3K301T(TE85L,F) Image SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM تحقيق
STB70N10F4 Image STB70N10F4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK تحقيق
IPT65R105G7XTMA1 Infineon Technologies HIGH POWER_NEW تحقيق
BMS4007-1E Image BMS4007-1E ON Semiconductor MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML تحقيق

Latest الأخبار