يشترى NTJS4151PT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTJS4151PT1G
- رقم القطعة:
- NTJS4151PT1G
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15657 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTJS4151PT1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTJS4151PT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTJS4151PT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±12V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | NTJS4151PT1GOSDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 28 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NTJS4151PT1G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 850pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTJS4151PT1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFR010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | تحقيق |
 |
AOB2606L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 72A TO263 | تحقيق |
 |
PHP83N03LT,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
STD5N52U | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK | تحقيق |
 |
NTJS4405NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | تحقيق |
|
IRFR9020TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK | تحقيق |
|
NTJS4151PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 | تحقيق |
|
NTJS4160NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 | تحقيق |
|
NTJS4405NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | تحقيق |
|
NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | تحقيق |
|
NTJS4405NT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | تحقيق |
 |
SSM3K301T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM | تحقيق |
 |
STB70N10F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK | تحقيق |
 |
IPT65R105G7XTMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | تحقيق |
 |
BMS4007-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers