يشترى NTJS4405NT4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTJS4405NT4
- رقم القطعة:
- NTJS4405NT4
- وصف:
- MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15258 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTJS4405NT4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTJS4405NT4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTJS4405NT4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 350 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 630mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTJS4405NT4 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 60pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف: | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTJS4405NT4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLIZ24G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP | تحقيق |
 |
NTJS4405NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | تحقيق |
|
NTJS4405NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | تحقيق |
 |
PHT4NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 | تحقيق |
|
NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | تحقيق |
|
NTJS4151PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 | تحقيق |
|
NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 | تحقيق |
 |
APTM50DAM38CTG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 90A SP4 | تحقيق |
 |
DMN30H4D0LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN | تحقيق |
|
NTJS4160NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 | تحقيق |
 |
SI7119DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog