يشترى NTLJF3117PT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTLJF3117PT1G
- رقم القطعة:
- NTLJF3117PT1G
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14108 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTLJF3117PT1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTLJF3117PT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTLJF3117PT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-WDFN (2x2) |
| سلسلة: | µCool™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 710mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-WDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | NTLJF3117PT1G-ND NTLJF3117PT1GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NTLJF3117PT1G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 531pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | Schottky Diode (Isolated) |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTLJF3117PT1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLJF3117PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | تحقيق |
|
NTLJF3118NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN | تحقيق |
 |
IRFH7934TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN | تحقيق |
|
NTLJF3118NTBG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN | تحقيق |
 |
PSMN1R6-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | تحقيق |
|
NTLJF4156NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | تحقيق |
 |
NTLJF4156NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | تحقيق |
 |
STD4NK80Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | تحقيق |
 |
DMT3003LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 22A POWERDI | تحقيق |
 |
IXTC250N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog