يشترى NTLJF3118NTAG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTLJF3118NTAG
- رقم القطعة:
- NTLJF3118NTAG
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18336 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTLJF3118NTAG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTLJF3118NTAG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTLJF3118NTAG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-WDFN (2x2) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 700mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-WDFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTLJF3118NTAG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 271pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.7nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Schottky Diode (Isolated) |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 2.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTLJF3118NTAG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLJF4156NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | تحقيق |
 |
IRFR3303CPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A DPAK | تحقيق |
 |
NTLJF3118NTBG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN | تحقيق |
|
NTLJF3117PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | تحقيق |
|
NTLJF3117PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | تحقيق |
 |
NTMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL | تحقيق |
|
NTLJF4156NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | تحقيق |
 |
DMN3052LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXTT1N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 | تحقيق |
 |
AUIRFS4010-7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers