يشترى ON5452,518 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ON5452,518
- رقم القطعة:
- ON5452,518
- وصف:
- MOSFET RF 20SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17401 Pieces
- ورقة البيانات:
- ON5452,518.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ON5452,518 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ON5452,518 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | - |
| نوع الترانزستور: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | - |
| اسماء اخرى: | 934063298518 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | ON5452,518 |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet |
| وصف: | MOSFET RF 20SOIC |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لON5452,518
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ON5450,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 64QFP | تحقيق |
 |
MRF166C | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 319-07 | تحقيق |
|
MRF8S18260HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 | تحقيق |
 |
PTF240101S V1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2 | تحقيق |
 |
J310G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA TO92 | تحقيق |
|
ON5453,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 20SOIC | تحقيق |
 |
MRF5S9101NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO-272-4 | تحقيق |
 |
MRFE6VP5600HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S | تحقيق |
 |
MRF5P21045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4 | تحقيق |
 |
MRF8S9220HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ NI780H | تحقيق |
|
ON5451,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 20SOIC | تحقيق |
|
MRF8P9040NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4 | تحقيق |
|
PTFB182503ELV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
PTFA211801E V4 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | تحقيق |
 |
PTFA082201FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog