العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > PD20010TR-E
PD20010TR-E
PD20010TR-E
رقم القطعة:
PD20010TR-E
الصانع:
ST
وصف:
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
20561 Pieces
ورقة البيانات:
PD20010TR-E.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PD20010TR-E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PD20010TR-E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى PD20010TR-E مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:13.6V
الجهد - تقييمه:40V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:PowerSO-10RF (Formed Lead)
سلسلة:-
مخرج قوي:10W
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
اسماء اخرى:497-10096-6
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع المهلة القياسية:11 Weeks
الصانع الجزء رقم:PD20010TR-E
ربح:11dB
تردد:2GHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)
وصف:TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
التصويت الحالي:5A
الحالي - اختبار:150mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لPD20010TR-E

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
PD20010STR-E Image PD20010STR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR تحقيق
BLF7G10LS-250,112 Image BLF7G10LS-250,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B تحقيق
PD20015S-E Image PD20015S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
PD20010S-E Image PD20010S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
STAC3933 Image STAC3933 STMicroelectronics IC TRANS RF HV/VHF/UHF STAC177B تحقيق
PD20010-E Image PD20010-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
PD20015C Image PD20015C STMicroelectronics FET RF 40V 2GHZ M243 تحقيق
BLF7G20LS-200,112 Image BLF7G20LS-200,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B تحقيق
BLF178XR,112 Image BLF178XR,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539A تحقيق
BLF6G27-45,112 Image BLF6G27-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A تحقيق
PD20015-E Image PD20015-E STMicroelectronics TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF تحقيق

Latest الأخبار