يشترى PHD3055E,118 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PHD3055E,118
- رقم القطعة:
- PHD3055E,118
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14881 Pieces
- ورقة البيانات:
- PHD3055E,118.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PHD3055E,118 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PHD3055E,118 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 150 mOhm @ 5.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 33W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | 934054728118 PHD3055E /T3 PHD3055E /T3-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PHD3055E,118 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 250pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 10.3A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount DPAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPHD3055E,118
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CPH3360-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 | تحقيق |
 |
IXTQ180N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P | تحقيق |
 |
BUK9880-55,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 | تحقيق |
 |
IRFR3710ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | تحقيق |
 |
IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 120A TO220AB | تحقيق |
 |
SI2321-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | تحقيق |
 |
IXTY1N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | تحقيق |
 |
IXFK60N25Q | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA | تحقيق |
 |
FDMC8878_F126 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V PWR33 | تحقيق |
 |
EPC2034ENGRT | EPC | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
IRF734PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB | تحقيق |
 |
FDP51N25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFX210N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | تحقيق |
|
SIHP15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | تحقيق |
 |
IXTA1R6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFP054 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC | تحقيق |
 |
STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT | تحقيق |
 |
BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
IXFR24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog