العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف > PMCXB900UELZ
PMCXB900UELZ
PMCXB900UELZ
رقم القطعة:
PMCXB900UELZ
الصانع:
Nexperia
وصف:
20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13586 Pieces
ورقة البيانات:
PMCXB900UELZ.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMCXB900UELZ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMCXB900UELZ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى PMCXB900UELZ مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:950mV @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:DFN1010B-6
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:620 mOhm @ 600mA, 4.5V
السلطة - ماكس:380mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-XFDFN Exposed Pad
اسماء اخرى:1727-2602-2
568-13061-2
568-13061-2-ND
934070417147
PMCXB900UEL
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:PMCXB900UELZ
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:21.3pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:0.7nC @ 4.5V
نوع FET:N and P-Channel Complementary
FET الميزة:Standard
وصف موسع:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA 380mW Surface Mount DFN1010B-6
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:600mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لPMCXB900UELZ

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
NTMFD4C20NT3G Image NTMFD4C20NT3G ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V SO8FL تحقيق
SI4214DDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO تحقيق
PMCXB900UE Image PMCXB900UE Nexperia USA Inc. MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN تحقيق
ALD114904ASAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
PMCXB1000UEZ Image PMCXB1000UEZ Nexperia USA Inc. MOSFET ARRAY N/PCH 30V DFN1010B6 تحقيق
SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6 تحقيق
ALD110800PCL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP تحقيق
PMCXB900UEZ Image PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN تحقيق
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
PMDT290UNE,115 Image PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 تحقيق
APTC60HM70RT3G Image APTC60HM70RT3G Microsemi Corporation MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F تحقيق
ALD111910PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 8DIP تحقيق
BUK9K29-100E,115 Image BUK9K29-100E,115 Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D تحقيق
AUIRF7303QTR Image AUIRF7303QTR Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC تحقيق

Latest الأخبار