يشترى PMCXB900UEZ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMCXB900UEZ
- رقم القطعة:
- PMCXB900UEZ
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19277 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMCXB900UEZ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMCXB900UEZ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMCXB900UEZ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-DFN (1.1x1) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 265mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | PMCXB900UEZ |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 21.3pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.7nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel Complementary |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA, 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 600mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMCXB900UEZ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMCXB900UELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL | تحقيق |
 |
DMG9926USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L | تحقيق |
 |
SI3983DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP | تحقيق |
|
PMCXB900UE | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN | تحقيق |
 |
APTM50HM35FG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 | تحقيق |
|
PMCXB1000UEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY N/PCH 30V DFN1010B6 | تحقيق |
|
APTM10DDAM19T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 | تحقيق |
 |
FDME1034CZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET | تحقيق |
 |
IRF7301PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI4567DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SIA931DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L | تحقيق |
 |
BSL207NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP | تحقيق |
|
SI4505DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog