يشترى PMGD290XN,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMGD290XN,115
- رقم القطعة:
- PMGD290XN,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16717 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMGD290XN,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMGD290XN,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMGD290XN,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSSOP |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 410mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | 1727-3126-2 568-2366-2 568-2366-2-ND 934057731115 PMGD290XN T/R PMGD290XN115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PMGD290XN,115 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 34pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.72nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 860mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMGD290XN,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMGD280UN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP | تحقيق |
|
PMGD290UCEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP | تحقيق |
 |
SI6973DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP | تحقيق |
 |
GWM160-0055X1-SL | IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS | تحقيق |
 |
IRF7306TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7389PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDS8958B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | تحقيق |
 |
NTLLD4901NFTWG | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 | تحقيق |
|
IXTL2X200N085T | IXYS | MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK | تحقيق |
 |
UT6MA3TCR | Rohm Semiconductor | 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET | تحقيق |
 |
IRF5852TR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP | تحقيق |
 |
SI3529DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog