يشترى PMPB20EN,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMPB20EN,115
- رقم القطعة:
- PMPB20EN,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12884 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMPB20EN,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMPB20EN,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMPB20EN,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-DFN2020MD (2x2) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 19.5 mOhm @ 7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-UDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 1727-1247-2 568-10455-2 568-10455-2-ND 934066626115 PMPB20EN,115-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PMPB20EN,115 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 435pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 7.2A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMPB20EN,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMPB29XPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB23XNEZ | Nexperia USA Inc. | PMPB23XNE/SOT1220/REEL 7" Q1/T | تحقيق |
 |
IPI80N06S405AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
PMPB20ENZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB27EP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB215ENEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220 | تحقيق |
 |
RZL035P01TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6 | تحقيق |
|
PMPB20XNEAZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB20XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB20XPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB29XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB23XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN | تحقيق |
 |
IRFB4215PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB | تحقيق |
 |
STL190N4F7AG | STMicroelectronics | POWER TRANSISTORS | تحقيق |
 |
IPA037N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog