يشترى PMXB120EPEZ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMXB120EPEZ
- رقم القطعة:
- PMXB120EPEZ
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15529 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMXB120EPEZ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMXB120EPEZ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMXB120EPEZ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1010D-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120 mOhm @ 2.4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 400mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 3-XDFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | PMXB120EPEZ |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 309pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 11nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 2.4A (Ta) 400mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMXB120EPEZ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB025N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 | تحقيق |
 |
PMXB120EPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | تحقيق |
 |
IXFQ26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 | تحقيق |
 |
IXFT12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 | تحقيق |
 |
IXTA44P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 | تحقيق |
 |
ZVP1320FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3 | تحقيق |
 |
SKI03036 | Sanken | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
STP45NE06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 45A TO-220 | تحقيق |
 |
SI2316BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23 | تحقيق |
 |
AOTF12N65A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 12A TO220F | تحقيق |
 |
2N7002W | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 | تحقيق |
 |
IRFZ44E | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRFI610G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP | تحقيق |
 |
STB155N3LH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFSL3004PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | تحقيق |
 |
FDP5N60NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3 | تحقيق |
 |
IRF7240PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFP21N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog