يشترى PMZ950UPEYL مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMZ950UPEYL
- رقم القطعة:
- PMZ950UPEYL
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 0.5A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18853 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMZ950UPEYL.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMZ950UPEYL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMZ950UPEYL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1006-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-101, SOT-883 |
| اسماء اخرى: | 1727-2324-2 568-12610-2 568-12610-2-ND 934068445315 PMZ950UPEYL-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PMZ950UPEYL |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 43pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.1nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 500mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.2V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 0.5A |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMZ950UPEYL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMP2039UFDE4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN | تحقيق |
 |
IRLMS1503TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | تحقيق |
 |
AOT254L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 150V 4.2A TO220 | تحقيق |
 |
IXFP130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 | تحقيق |
 |
IRF1010ZLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 | تحقيق |
 |
IXTA38N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 | تحقيق |
 |
IRF9392TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC | تحقيق |
 |
IRFH5306TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN | تحقيق |
 |
2N7636-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A TO276 | تحقيق |
 |
SPB80N06S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
FQPF9N50CT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F | تحقيق |
 |
PMZ950UPELYL | Nexperia USA Inc. | 20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET | تحقيق |
|
IRFZ44VS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFT36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 | تحقيق |
|
IXTA3N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK | تحقيق |
 |
CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA | تحقيق |
 |
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 | تحقيق |
|
IRLMS6702TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP | تحقيق |
 |
SIR496DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog